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PD - 91853C
Si4410DY
HEXFET ? Power MOSFET
l
l
l
l
l
N-Channel MOSFET
Low On-Resistance
Low Gate Charge
Surface Mount
Logic Level Drive
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
A
A
D
D
D
D
V DSS = 30V
R DS(on) = 0.0135 ?
Description
T o p V ie w
This N-channel HEXFET ? Power MOSFET is produced
using International Rectifier's advanced HEXFET power
MOSFET technology. The low on-resistance and low gate
charge inherent to this technology make this device ideal
for low voltage or battery driven power conversion
applications
The SO-8 package with copper leadframe offers enhanced
thermal characteristics that allow power dissipation of
greater that 800mW in typical board mount applications.
SO-8
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
V DS
I D @ T A = 25°C
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T A = 70°C
dv/dt
E AS
V GS
T J, T STG
Drain- Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation ?
Power Dissipation ?
Linear Derating Factor
Peak Diode Recovery dv/dt ?
Single Pulse Avalanche Energy ?
Gate-to-Source Voltage
Junction and Storage Temperature Range
30
±10
±8.0
±50
2.5
1.6
0.02
5.0
400
± 20
-55 to + 150
V
A
W
W/°C
V/ns
mJ
V
°C
Thermal Resistance
Parameter
Max.
Units
R θ JA
www.irf.com
Maximum Junction-to-Ambient ?
50
°C/W
1
11/22/99
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